LTM9012
引脚功能
V
CC1
(H10, H13):
通道1放大器的电源。 V
CC
is
内部旁路至地0.1μF并联
0.01μF的陶瓷电容，额外的旁路电容
是可选的。推荐的工作电压为3.3V 。
V
CC2
(C8, C12):
2通道放大器的电源。 V
CC
是IN-
ternally旁路到地与0.1μF并联
0.01μF的陶瓷电容，额外的旁路电容
是可选的。推荐的工作电压为3.3V 。
V
CC3
(C2, C6):
3通道放大器的电源。 V
CC
是IN-
ternally旁路到地与0.1μF并联
0.01μF的陶瓷电容，额外的旁路电容
是可选的。推荐的工作电压为3.3V 。
V
CC4
(H1, H4):
第4频道放大器的电源。 V
CC
是IN-
ternally旁路到地与0.1μF并联
0.01μF的陶瓷电容，额外的旁路电容
是可选的。推荐的工作电压为3.3V 。
V
DD
(N4, N5, N9, N10):
ADC模拟电源。 V
DD
是跨
应受旁路至地0.1μF的陶瓷电容，
额外的旁路电容是可选的。时建议
谁料工作电压为1.8V 。
OV
DD
（ R7，R8， S8） ：
ADC数字输出电源。 OV
DD
在内部旁路至地0.1μF陶瓷钙
pacitors ，额外的旁路电容是可选的。该
推荐工作电压为1.8V 。
GND ：
地面上。利用靠近引脚多个过孔。
CH1
+
(A11):
通道1同相模拟输入。
CH1
–
(A12):
通道1相模拟输入。
CH2
+
(A8):
通道2同相模拟输入。
CH2
–
(A9):
通道2反相模拟输入。
CH3
+
(A5):
3通道同相模拟输入。
CH3
–
(A6):
通道3反相模拟输入。
CH4
+
(A2):
第4频道同相模拟输入。
CH4
–
(A3):
第4频道反相模拟输入。
SHDN1
(G11):
通道1功放关断。连接 -
ING
SHDN1
到V
CC
或浮动的结果在正常（活性）
操作模式。连
SHDN1
到GND导致
在放大器1的低功耗关断状态。
SHDN2
(D9):
2通道功放关断。连接 -
ING
SHDN2
到V
CC
或浮动的结果在正常（活性）
操作模式。连
SHDN2
到GND导致
在放大器2低功耗关断状态。
SHDN3
(D3):
3通道功放关断。连接 -
ING
SHDN3
到V
CC
或浮动的结果在正常（活性）
操作模式。连
SHDN3
到GND导致
在放大器3的低功耗关断状态。
SHDN4
(G1):
第4频道功放关断。连接 -
ING
SHDN4
到V
CC
或浮动的结果在正常（活性）
操作模式。连
SHDN4
到GND导致
在放大器4低功耗关断状态。
ENC
+
(N1):
编码输入。转换开始的上升
边缘。
ENC
–
(P1):
补编码输入。转换开始
在下降沿。
CS
(P4):
在串行编程模式（ PAR / SER = 0V ） ，
CS
是串行接口芯片选择输入。当
CS
is
低， SCK启用SDI上的数据转移到模式
控制寄存器。在并行编程模式（ PAR /
SER
= V
DD
),
CS
选择2车道或1通道输出模式。
CS
可驱动1.8V至3.3V逻辑。
SCK （ P5 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER =
0V ） ， SCK是串行接口的时钟输入。在并行
编程模式（ PAR / SER = V
DD
） ， SCK选择3.5毫安
或1.75毫安LVDS输出电流。 SCK来驱动
1.8V至3.3V逻辑。
SDI （P3） ：
在串行编程模式（ PAR / SER = 0V ） ，
SDI是串行接口的数据输入。 SDI上的数据同步
成在SCK的上升沿模式控制寄存器。
在并行编程模式（ PAR / SER = V
DD
） ， SDI
可用于关断的部分。 SDI可以驱动
与1.8V至3.3V逻辑。
SDO （ P9 ） ：
在串行编程模式（ PAR / SER = 0V ） ，
SDO是可选的串行接口数据输出。数据
SDO从模式控制寄存器读回和能
被锁定在SCK的下降沿。 SDO是一个开放
漏NMOS输出，需要一个外部2K的上拉
电阻为1.8V - 3.3V 。如果从模式控制回读
不需要的寄存器，上拉电阻是不neces-
萨利和SDO可以悬空。在并行
编程模式（ PAR / SER = V
DD
） ， SDO是一个输入
使内部100Ω终端电阻。当
作为输入， SDO可驱动1.8V至3.3V
通过1K串联电阻逻辑。
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