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LTM9012
内部基准源的特性
参数
V
REF
输出电压
V
REF
输出温度漂移
V
REF
输出电阻
V
REF
线路调整
-400μA <我
OUT
& LT ; 1毫安
1.7V < V
DD
< 1.9V
条件
I
OUT
= 0
整个工作温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C.
l
表示该应用在规格
1.225
典型值
1.250
±25
7
0.6
最大
1.275
单位
V
PPM /°C的
Ω
mV / V的
数字输入和输出
符号
参数
ENCODE输入( ENC
+
, ENC
)
差分编码模式( ENC
没有连接到GND )
V
ID
V
ICM
V
IN
R
IN
C
IN
V
IH
V
IL
V
IN
R
IN
C
IN
V
IH
V
IL
I
IN
C
IN
R
OH
I
OH
C
OUT
V
IH
V
IL
R
SHDN
V
OD
V
OS
R
TERM
差分输入电压
共模输入电压
输入电压范围
输入阻抗
输入电容
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电压范围
输入阻抗
输入电容
高电平输入电压
低电平输入电压
输入电流
输入电容
逻辑低输出电阻到GND
逻辑高电平输出漏电流
输出电容
高电平输入电压
低电平输入电压
SHDN
上拉电阻
差分输出电压
共模输出电压
片上端接电阻
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围,否则仅指在T
A
= 25℃。 (注6 )
条件
典型值
最大
单位
(注9 )
内部设置
外部设定(注9 )
ENC
+
, ENC
到GND
(参见图3)
l
l
l
0.2
1.1
0.2
10
3.5
1.2
1.6
3.6
V
V
V
V
pF
V
V
V
pF
V
0.6
V
A
pF
Ω
10
3
A
pF
1.4
210
454
250
1.375
1.375
V
V
mV
mV
V
V
Ω
9012f
单端编码模式( ENC
连接至GND )
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 1.8V
ENC
+
到GND
(见图4)
1.26
0.54
0至3.6
30
3.5
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 1.8V
V
IN
= 0V至3.6V
l
l
l
数字输入( CS , SDI , SCK串行或并行编程模式, SDO在并行编程模式)
1.3
–10
3
V
DD
= 1.8V , SDO = 0V
SDO = 0V至3.6V
l
10
SDO输出(串行编程模式,开漏输出,需要2K上拉电阻,如果SDO时)
200
–10
数字输入( SHDN )
V
CC
= 3.3V
V
CC
= 3.3V
V
SHDN
= 0V至0.5V
100Ω差分负载, 3.5毫安模式
100Ω差分负载, 1.75毫安模式
100Ω差分负载, 3.5毫安模式
100Ω差分负载, 1.75毫安模式
启用终端, OV
DD
= 1.8V
l
l
l
0.97
0.6
90
247
125
1.125
1.125
0.95
150
350
175
1.250
1.250
100
数字数据输出
l
l
l
l
4

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