LTC1966
应用信息
0
–0.2
–0.4
峰值误差（％）
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1.6
–1.8
–2.0
1
10
输入频率（Hz）
20
50
60
100
1966 F08
C = 100μF
C = 2.2μF
C = 1μF
C = 47μF
C = 22μF
C = 10μF
C = 4.7μF
图8.峰值误差与输入频率有一个CAP平均
1μF电容是许多应用的理想选择。
峰误差为50Hz / 60Hz的将是<1 ％和直流误差
将<0.1 ％与为10Hz以上的频率。
注意，这两个图6和图8中假设AC耦合
波形峰值因数低于2 ，如正弦
波或三角波。对于高波峰因数和/或
AC + DC波形，一个更大的C语言
AVE
通常是必需的。
看到波峰因数和AC + DC波形。
电容选型
该LTC1966可与多种类型的电容器的工作。
各种类型提供尺寸的宽阵列，公差
寄生参数，封装形式和成本。
陶瓷芯片电容器提供低成本和小尺寸，
但不推荐用于关键应用。该
过电压和温度值稳定性差，
许多类型的陶瓷电介质。这不会导致
RMS至DC准确度的问题，除了在低频时，
在那里可以加剧在预讨论的效果
vious部分。如果陶瓷电容器时，它可以是
必要的，以便使用高得多的标称值
以保证所需的低频精度。
陶瓷电容器的另一个寄生泄漏，这是
再依赖于电压，特别是温度。
如果泄漏是一个恒定的电流泄漏，则I R一滴
泄漏乘以LTC1966的输出阻抗
将建立一个恒定的输出电压的偏移。如果
泄漏是欧姆，用LTC1966组成的电阻分压器
输出阻抗将导致增益误差。为< 0.1 ％
增益精度下降，对并联阻抗
电容器泄漏将需要>1000倍LTC1966
输出阻抗。在这个级别的精度是很难的
实现用陶瓷电容器，特别是具有大
电容的和在高温下的值。
对于关键应用，薄膜电容器，例如金属化
聚酯，将是一个更好的选择。虽然越来越多的
昂贵的，并且对于给定的值，该值越大stabil-
性和低泄漏使金属化薄膜电容器的故障
自由选择。
用任何类型的电容器，该电容的自谐振
器可以是一个问题与开关电容LTC1966 。
如果平均化电容器的自谐振频率
为1MHz以下，第二个较小的电容应
并联加到减少看到的阻抗
LTC1966输出级在高频。电容器100
倍比平均值电容较小的通常是
小到可以低成本的陶瓷具有高品质
介质如X7R或NPO / COG 。
输入连接
该LTC1966的输入是差分直流耦合。该
LTC1966响应差的RMS值
2脚和3脚之间的电压，包括直流por-
针对这样的差异。然而，不存在直流耦合
接地从输入通道。因此，至少一
两个输入必须与一个直流回路相连
到地面。
两个输入必须连接到一些东西。如果任
输入悬空，零伏输出结果。
1966fb
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