LTC3703
应用信息
接着，选择在顶部和底部的MOSFET开关。自
每个MOSFET的漏极将看到全供电电压
72V （最大值）加上任何振铃，选择一个100V的MOSFET
提供安全边际。 Si7456DP具有100V BV
DSS
,
R
DS （ ON）
= 25MΩ （最大） ，
δ
= 0.009/°C, C
磨坊主
= （ 19nC
- 10NC ） / 50V =为180pF ，V
GS （ MILLER ）
= 4.7V,
θ
JA
= 20 ° C / W 。
功耗可估计为最大输入
电压，假定为100 ℃的结温（ 30℃下
上述70 ° C的环境） ：
12
P
主
=
(10)
2
[
1+ 0.009(100 – 25)
]
(0.025)
72
1
1
10
+(72)
2
(2)(180pF)
+
(250k)
2
10 – 4.7 4.7
=
0.70W
+
0.94W
=
1.64W
并仔细检查所采取的T
J
在MOSFET ：
T
J
= 70℃ +（ 1.64W ）（20 ℃/ W） = 103 ℃的
由于该同步MOSFET将进行了
周期的两倍长的每个周期（几乎100％的
在短路）的高端MOSFET ，使用两个Si7456DP
底部MOSFET的：
7212
2
P
SYNC
=
(10)
[
1+ 0.009(100 – 25)
]
72
0.025
=
1.74W
2
T
J
= 70 ° C + （ 1.74W ） （ 20 ° C / W） = 105℃
接下来，设置限流电阻。由于我
最大
= 10A ，则
限应设置，使得最小电流限制是
>10A 。最小电流限制，在发生最大R
DS （ ON）
.
使用上面的计算底部MOSFET牛逼
J
中，
最大
DS （ ON）
= (25mΩ/2) [1 + 0.009 (105-25)] = 21.5mΩ.
因此，我
最大
端子的电压被设定为（10A） （ 0.0215 ）
= 0.215V 。第r
SET
电阻器现在可以被选择为
0.215V / 12μA = 18K 。
C
IN
选择一个RMS约5A的额定电流
(I
最大
/ 2），在85℃下。对于输出电容器，两个低ESR的
OS- CON电容（ 18MΩ每个）被用来最小化
由于电感电流纹波输出电压的变化，
载荷步。纹波电压为：
V
OUT （纹波）
=
I
L（ MAX）的
（ESR） = （4A） （ 0.018Ω / 2）
= 36mV
然而， 0A至10A负载阶跃会导致输出电压
高达年龄变化：
V
输出（步骤）
=
I
LOAD （ESR）
= （10A） （ 0.009Ω ） = 90MV
PC板布局清单
当布置在印刷电路板上，下面的
清单应被用来确保正确操作
LTC3703 。这些项目中的还示出图形
图18的布局图对于一个升压模式布局
转换器的布局与V相似
IN
和V
OUT
交换。
请检查您的布局如下：
1.保持信号和功率地分开。信号
地面由LTC3703 GND引脚，地面
回归的C
VCC
和（ - ）V的终端
OUT
。电源
地由肖特基二极管阳极，源
（ - ）的末端的底侧的MOSFET ，并且所述的
输入电容器和DRV
CC
电容。连接信号
和权力的理由在一起的（ - ）的终端
输出电容器。另外，尝试连接（ - ）端
输出电容尽可能接近到的（ - ）
输入和DRV的端子
CC
电容客场
从所描述的肖特基环（ 2）。
2.由顶部的N沟道MOSFET形成的高di / dt环路
下面的MOSFET和C-
IN
电容应该有
短引线和PC走线长度，以尽量减少高频
昆西噪声和电压应力感应振荡。
3.直接连接顶侧MOSFET的漏极到
（ + ）板C的
IN
和连接底部的源
直接侧MOSFET的（ - ）C端
IN
。这
电容提供对MOSFET的交流电流。
4.将材料C
DRVCC
去耦电容二份
diately旁边的集成电路， DRV之间
CC
和BGRTN 。这
电容携带MOSFET驱动器“的电流峰值。
同样地了C
B
电容器也应在下一个向IC
与BOOST和SW 。
3703fc
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