LTC4365
应用信息
跟踪在V
OUT
，另一方面，不响应
以在V的负电压
IN
，展示出所需
反向电源保护。图7的波形分别
采用双40V N沟道MOSFET抓获，一个10μF
陶瓷输出电容和V空载电流
OUT
.
恢复定时器
该LTC4365具有噪音过滤回收延时定时器
在V
IN
并有助于防止颤振在V
OUT
。要么是OV后
或UV发生故障，输入电源必须返回
所需的工作电压窗口中的至少36ms
为了将外部MOSFET背面，如图所示
在图4和图5 。
走出去，然后返回到故障小于36ms
将继续保持MOSFET关断。同样，未来
退出关断（ SHDN从低到高）触发一个800μs
启动延时定时器（参见图10） 。
恢复定时器也很活跃，而LTC4365是
电。在36ms定时器开始一次V
IN
上述上升
V
IN（ UVLO ）
和V
IN
位于用户可选择UV / OV内
电源良好窗口。参见图8 。
V
IN
V
IN（ UVLO ）
跟踪V
OUT
，从而保持外部MOSFET的关
V
OUT
衰减。需要注意的是当V
OUT
< 4.5V ， GATE引脚
被拉到内的地面为400mV 。
温柔的栅极关断降低负载电流的压摆率和
减轻了由于寄生电感的电压尖峰。
为了进一步降低GATE引脚压摆率，放置一个电容
TOR穿过外部的栅极和源极端子
的MOSFET。图9的波形，使用拍摄
该Si4230双N沟道MOSFET和一个2A负载
100μF输出电容器。
V
IN
= 12V
中T = 25℃
门
V
OUT
5V/DIV
SHDN
GND
100μs/DIV
4365 F9
图9.温和关机： GATE跟踪V
OUT
as
V
OUT
衰变
故障状态
t
恢复
门
MOSFET关闭
MOSFET在
4365 F08
该
故障
高压开漏输出驱动为低电平，如果
SHDN
为低电平，若V
IN
是所希望的欠压/过压外
电压窗口，或若V
IN
上述V并没有上升
IN（ UVLO ）
.
图4,5和10示出了
故障
输出时序。
SHDN
图8.恢复时序上电过程中
（ OV = GND ， UV =
SHDN
= V
IN
)
t
GATE （ SLOW）
门
ΔV
门
GATE = V
OUT
V
OUT
t
SHDN （ F）
故障
t
开始
轻柔关闭
该
SHDN
输入关闭了外部MOSFET
温和，可控的方式。当
SHDN
为低电平时，
一个90μA电流吸收器慢慢开始关闭外部
的MOSFET。
一旦在GATE引脚上的电压低于电压
在V
OUT
销，所述电流吸收器被节流背部和一
反馈回路接管。这个循环迫使栅极电压
4365 F10
图10.温柔定时关机
4365f
12
