LTC4365
手术
当今的许多电子系统得到他们的权力来自
外部源，例如一个壁式适配器，电池
和定制电源等。这些电源是
往往不可靠，接线错误，不符合规范的，或者只是
完全错误的。这可能导致电源电压是太
高，过低，甚至为负。如果这些电源
被直接施加到电子系统中，系统
可能会受到损害。的LTC4365是一个输入
电压故障保护的N沟道MOSFET控制器。
部分隔离的输入电源与负载保护
从意想不到的电源电压条件下的负载，同时
提供合格的功率低损耗路径。
为了保护电子系统的连接不正确
电源系统设计人员往往会增加离散
二极管，晶体管和高电压比较器。该
高电压比较器实现系统功耗仅
电源输入电压下降内的期望的电压窗口。
MOSFET通常加入的肖特基二极管或P沟道
串联在电源防止逆向供应
连接。
该LTC4365提供了准确的过压和
欠压比较器，以确保电源AP-
合股到只有当输入电源是否满足用户的系统
可选择的电压窗口。电源反向保护
电路自动隔离的负输入端的负载
电压。在正常操作期间，一个高电压充电
泵增强外部N沟道功率门
的MOSFET。功耗为10μA停机期间
和125μA同时经营。该LTC4365集成了所有
在狭小的这些功能TSOT- 23和3mm x 2mm DFN封装
包。
应用信息
的LTC4365是一个N沟道MOSFET控制器
可以防止发生故障的电源连接的负载。基本
使用LTC4365应用电路示于图1中。
该电路提供了从V低损耗连接
IN
to
V
OUT
只要在V的电压
IN
是3.5V之间
V
IN
标称12V
M1
SI4946
60V DUAL
M2
V
OUT
3.5V至18V
18V 。电压在V
IN
在3.5V至18V范围之外的
防止从得到的负载，并且可以高达
60V和低至-40V 。图1的电路保护
对在V负电压
IN
如图所示。没有其他EX-
需要外部元件。
在正常操作中， LTC4365提供高达
栅极增强9.8V到外部背到背
N沟道MOSFET 。这将打开MOSFET ，从而
连接负载在V
OUT
以V电源
IN
.
栅极驱动器
+
C
OUT
100μF
V
IN
R5
100k
R3
1820k
R2
243k
OV
R1
59k
门
LTC4365
V
OUT
SHDN
UV
故障
该LTC4365接通外部N沟道MOSFET
通过驱动GATE引脚高于V
OUT
。该电压差
栅极和V之间的ENCE
OUT
销（栅极驱动器）是一个
V功能
IN
和V
OUT
.
OV = 18V
UV = 3.5V
GND
4365 F01
图1： LTC4365保护负载从-40V到
60V V
IN
故障
4365f
8
