LTC4252-1/LTC4252-2
LTC4252A-1/LTC4252A-2
电气特性
符号
V
Z
r
Z
I
IN
V
LKO
V
LKH
V
CB
V
ACL
V
ACL
/
V
CB
V
整箱
V
SS
R
SS
I
SS
参数
V
IN
– V
EE
齐纳电压
V
IN
– V
EE
齐纳二极管动态阻抗
V
IN
电源电流
V
IN
欠压锁定
V
IN
欠压闭锁滞后
断路器电流限制电压
模拟电流限制电压
模拟电流限制电压/
断路器电压
快速电流限制电压
SS电压
SS输出阻抗
SS引脚电流
UV = OV = 4V ，V
SENSE
= V
EE
,
V
SS
= 0V （采购）
UV = OV = 0V ，V
SENSE
= V
EE
,
V
SS
= 2V （沉没）
V
OS
模拟电流限制偏移电压
V
ACL
+V
OS
/比（V
ACL
+ V
OS
）至SS电压
V
SS
I
门
GATE引脚输出电流
UV = OV = 4V ，V
SENSE
= V
EE
,
V
门
= 0V （采购）
UV = OV = 4V ，V
SENSE
– V
EE
= 0.15V,
V
门
= 3V （沉没）
UV = OV = 4V ，V
SENSE
– V
EE
= 0.3V,
V
门
= 1V （沉没）
V
门
V
GATEH
V
GATEL
V
UVHI
V
UVLO
V
UV
V
UVHST
V
OVHI
V
OVLO
V
OV
V
OVHST
I
SENSE
I
INP
V
TMRH
V
TMRL
外部MOSFET栅极驱动器
门高门槛
门低阈值
UV引脚门槛高
UV引脚门槛低
UV引脚门限
UV引脚迟滞
OV引脚门槛高
OV引脚门槛低
OV引脚门限
OV引脚迟滞
SENSE引脚输入电流
UV和OV引脚输入电流
TIMER引脚电压高门槛
TIMER引脚电压低阈值
低到高的转变
(
●
对于LTC4252A专用）
UV = OV = 4V ，V
SENSE
= 50mV的
UV = OV = 4V
低到高的转变
(
●
对于LTC4252A专用）
V
门
– V
EE
, I
IN
= 2毫安
V
GATEH
= V
IN
– V
门
, I
IN
= 2毫安，
为
PWRGD
STATUS （ MS ONLY）
（前栅极斜坡上）
●
3.075
●
2.775
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注2 ）
条件
I
IN
= 2毫安
I
IN
= 2mA至30毫安
UV = OV = 4V ，V
IN
= (V
Z
– 0.3V)
出来的UVLO （瑞星V
IN
)
V
CB
= (V
SENSE
– V
EE
)
V
ACL
= (V
SENSE
– V
EE
),
SS =打开或2.2V
V
ACL
= (V
SENSE
– V
EE
),
SS =打开或1.4V
V
整箱
= (V
SENSE
– V
EE
)
SS的定时周期结束后，
●
●
l
LTC4252-1/-2
民
TYP MAX
11.5
13
5
0.8
9.2
1
●
●
●
●
LTC4252A-1/-2
民
TYP MAX
11.5
13
5
0.9
9
0.5
45
50
14.5
2
10
55
单位
V
Ω
mA
V
V
mV
mV
14.5
2
11.5
60
120
40
80
50
100
1.05
150
200
2.2
100
22
28
10
0.05
40
58
17
190
10
12
2.8
0.5
3.225 3.375
2.925 3.075
3.05
300
5.85
5.25
6.15
5.55
600
–15
± 0.1
4
1
–30
±1
6.45
5.85
5.04
82
292
V
Z
10
80
40
300
150
1.20
200
1.4
50
28
28
10
0.05
58
17
190
12
2.8
0.5
1.38
300
V/V
mV
V
kΩ
μA
mA
mV
V/V
80
μA
mA
mA
V
Z
V
V
V
V
V
3.08
324
3.11
356
V
mV
V
V
5.09
102
–15
± 0.1
4
1
5.14
122
–30
±1
V
mV
μA
μA
V
V
425212fd
3
