LTC4252-1/LTC4252-2
LTC4252A-1/LTC4252A-2
应用信息
近似的线性充电速率为我
DRN
从下降
I
DRN （MAX）中
为零时，我
DRN
成分中的式（3 ）
可以用0.5 我来近似
DRN （MAX）中
。重新排列
方程， TIMER电容C
T
由下式给出：
C
T
=
t
CL （ CHARGE ）
230μA + 4 I
DRN （MAX）中
4V
是适当的。的比（R
SS
C
SS
），以吨
CL （ CHARGE ）
is
一个良好的轨距为大比率可导致超时
期间届满。此计用经验确定
板级评估。
设计流程的概述
(13)
总结了设计流程，可以考虑应用
在图2中与LTC4252A所示。它被设计
为80W 。
计算最大负载电流： 80W / 43V = 1.86A ;
允许83％的转换效率，我
IN （MAX）
= 2.2A.
计算R
S
：从等式（ 8）读
S
= 20mΩ.
我计算
短路（MAX）中
：从等式（10 ）
I
短路（MAX）中
=
66mV
=3.3A
20mΩ
(
)
回到式（3 ）中，定时器周期是calcu-
迟来并配合使用V
供应（最大值）
和
I
短路（MAX）中
检查一个前瞻性的SOA曲线
略去MOSFET。
作为一数字设计例子，考虑一个30W的负载，
这就要求在36V 1A的输入电流。如果V
供应（最大值）
,
= 72V和C
L
= 100μF
D
= 1MΩ ，式（8 ）给出
S
.
= 40MΩ ;方程（ 13 ）给出了C语言
T
= 441nF为了考虑
R中的错误
S
, C
T
，定时器电流（ 230μA ） ，定时器门槛
（ 4V ）中，R
D
，漏极电流倍增极和漏极电压
钳（V
DRNCL
） ，计算出的值应乘以
.
1.5 ，给予C的最接近标准值
T
= 680nF
如果发生短路，最多为120mV / 40MΩ = 3A的电流
将在MOSFET流量为5.6ms的决定为C
T
=680nF
在等式（3） 。在MOSFET必须选择基于
这个标准。该IRF530S可以处理100V和3A的
为10ms并且是安全的在本申请中使用。
计算过程中的最大软启动电容值
软启动负载短路是由非线性复杂
MOSFET的SOA特性和R用
SS
C
SS
反应。
过于保守的，但简单的方法开始
最高断路器的电流，由下式给出：
V
CB（ MAX）的
I
CB（ MAX）的
=
R
S
(14)
其中，V
CB（ MAX）的
= 60mV的（ 55mV的LTC4252A ） 。
从未来的MOSFET的SOA曲线，确定
在允许的时间t
SOA （MAX）
. C
SS
由下式给出：
t
SOA （MAX）
C
SS
=
0.916 R
SS
(15)
在上面的例子中，为60mV / 40MΩ给出1.5A 。吨
SOA （MAX）
对于IRF530S为40ms 。从等式（ 15 ），C
SS
=
437nF实际电路板的评估显示，
SS
= 100nF的
.
选择一个MOSFET ，可在71V 3.3A处理： IRF530S 。
.
计算
T
：从等式（ 13 ）C
T
= 322nF选择
,
C
T
= 680nF这使断路器超时周期
T =为5.6ms 。
咨询MOSFET SOA曲线：在IRF530S可处理3.3A
以100V为8.2ms ，因此它是安全的在本申请中使用。
计算
SS
：使用等式（14）和（15）中选择
.
C
SS
=68nF
频率补偿
该LTC4252A典型的频率补偿网络
模拟电流限制回路是R系列
C
（ 10Ω ）和C
C
连接到V
EE
。图7示出的关系
补偿电容C
C
和MOSFET的C语言
国际空间站
.
图7中的线被用来选择用于℃的起始值
C
基于MOSFET的C语言
国际空间站
规范。优化
对于C值
C
显示一些流行的MOSFET。
在C的最佳值的差异
C
与出发
值都很小。然而，补偿值应
通过板级短路试验验证。
425212fd
20
