LTC4251/LTC4251-1/
LTC4251-2
手术
两种操作模式也是可能的时间期间的
MOSFET的第一导通，这取决于的值
外部元件， MOSFET的特性和公称
最终设计的电流。一种可能性是，在MOSFET
将导通逐渐使得浪涌进入负载
电容保持较低的值。输出将只是
加速到-48V和MOSFET将全面提升。
第二个可能性是，负载电流超过
为100mV / R的电流限制阈值
S
。在这种情况下，该
LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2将斜坡的输出
采购的100mV / R
S
电流流入负载电容。
设置定时延迟，所以，无论是重要
该启动模式使用的，启动时间短
比定时器的延迟时间。如果这一条件不能满足，
该LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2可在关机后
一个计时器延迟。
板拆除
如果电路板从卡槽中， UV / OV撤回
分频器是最先失去连接。这将关闭
MOSFET和整流电流在CON组流
插头。当电源引脚随后分开，有
无飞弧。
电流控制
三个级别的保护手柄短路和过的
负载条件。负载电流由SENSE监测和
电阻R
S
。有三种不同的阈值，在SENSE ：
50mV的一个定时电路断路器功能; 100mV的一个
模拟电流限制环路;和200mV的要快， feedfor-
病房比较器，它限制了峰值电流的情况下
灾难性的短路。
如果，由于输出过载，电压R两端降
S
超过50mV的， TIMER源230μA成C
T
. C
T
终于
收费为4V阈值和LTC4251 / LTC4251-1 /
LTC4251-2闭锁。如果过载消失和SENSE
测量小于50mV ，C
T
缓慢释放（ 5.8μA ） 。
在这样的电路断路器的功能也将响应
以低占空比过载，并进行快速加热账户
和缓慢冷却该MOSFET的特性。
高过载是由一个模拟电流限制处理
循环。如果R两端的压降
S
达到100mV的，当前的
限制环伺服系统的MOSFET栅极，并保持
为100mV / R的恒定输出电流
S
。需要注意的是，因为
SENSE >为50mV ，定时器C充电
T
在此期间，与
LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2将最终关闭。
在LTC4251的负载侧/低阻抗故障
LTC4251-1 / LTC4251-2加上48V以上的驾驶
潜力超过产生电流的压摆率以及
50A / μs的。在这些条件下，过冲是不可避免的。一
快速检测比较器具有200mV的检测的阈值
过冲和拉GATE低更难，因此
比能较弱的电流限制回路快得多。该
100mV/R
S
限流回路，然后接管和舵机
如先前所描述的电流。如前，定时器
运行和锁存LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2关闭
当C
T
达到4V 。
该LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2断路器锁
由任拉动UV复位/ OV暂时低，或
撤去输入电压V
IN
低于内部UVLO
门槛8.2V的。
虽然短路是最明显的故障类型，
多种工作条件下可以调用过流
保护。从背板或负载，输入噪声尖峰
致的第二连接步骤中，较高的电压
造成邻近断层的供应，瞬态电流
电路板共享相同的电源总线，或插入
非热插拔的产品可能会导致高于
预期的输入电流和一个临时检测
过流条件。 TIMER和C的动作
T
废品
这些事件使LTC4251 / LTC4251-1 / LTC4251-2
以“利民”临时过载和扰动
将跳闸简单的电流比较器，在某些情况下，
熔断熔丝。
425112fc
10
