LT3791
应用信息
从已知的功率消耗在功率MOSFET ，其
可以使用下面得到的结温
公式：
T
J
= T
A
+ P R
日（ JA ）
第r
日（ JA ）
公式中使用的通常包括
第r
TH （JC）
该设备加上从热阻
的情况下对环境温度（注册商标
TH （JC）
） 。此值
的t
J
然后，可以比较原始，假定值
在迭代计算过程中使用。
2.0
ρ
T
归一化的导通电阻（ ）
开关M3导通，从而提高转换效率
并减少开关M3的电压应力。为了使
二极管是有效的，它与所述的电感
同步开关必须尽可能地小， mandat-
荷兰国际集团，这些组件被相邻地放置。
INTV
CC
调节器
一个内部P沟道低压差稳压器产生5V
在INTV
CC
销从V
IN
电源引脚。 INTV
CC
权力
的LT3791内的驱动器和内部电路。该
INTV
CC
针调节器可以提供67毫安的峰值电流
并且必须绕过接地用最小4.7μF的
陶瓷电容器或低ESR的电容器。一
另外0.1μF的陶瓷电容直接放在相邻
到INTV
CC
和GND引脚IC强烈推荐。
好的旁路是必要提供高瞬态
当前需要由MOSFET栅极驱动器。
高输入电压应用中MOSFET的大
正在被驱动的在高频率可能会导致马克西
妈妈结温额定值为LT3791是
超标。该系统的电源电流通常占主导地位
通过栅极充电电流。额外的外部负载
该INTV
CC
还需要考虑的
功耗计算。功耗为
集成电路在此情况下为V
IN
I
INTVCC
和整体效率是
降低。结温度可以通过估计
使用给出的等式
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
)
哪里
θ
JA
（单位为℃ / W）是封装的热阻抗。
例如，一个典型的应用程序中的连续操作
目前的操作可能会得出24毫安从一个24V电源：
T
J
= 70 ° C + 24毫安 24V 28 ° C / W = 86℃
1.5
1.0
0.5
0
–50
50
100
0
结温（ ° C）
150
3791 F10
图10.归
DS （ ON）
与温度
可选肖特基二极管（ D3 ， D4 ）的选择
肖特基二极管D3，D4中的典型AP-所示
期间之间的死区时间褶皱部分行为
功率MOSFET开关的导通。他们
是为了防止同步的体二极管
开关M2和M4的接通和存储电荷
在死区时间。特别地， D 4显著降低
开关M4关断之间的反向恢复电流
3791f
22
