LT1999-10/LT1999-20/
LT1999-50
应用信息
关断能力
If
SHDN
（引脚8）在GND时， LT1999的0.5V驱动
被置于低功耗关断状态，其中
部分将得出关于3μA从V
+
供应量。输入
引脚（ + IN和-IN ）将以此为1nA左右，如果偏
0V至80V的范围内（没有差分电压
应用） 。如果输入引脚被拉低至GND引脚，
每个输入显示为连接到GND串联一个二极管
约性的4K 。 REF引脚出现
大约0.4MΩ绑在中间的供应潜力。该
输出显示为反向偏置二极管之间的捆绑
输出端在V
+
或GND引脚。
EMI滤波和布局实践
内部一阶差分低通噪声/ EMI支持
以10MHz的-3dB带宽PRESSION过滤器（近似
三方共同× 5的LT1999的-3dB带宽），包括以
有助于提高LT1999的EMI敏感性，并协助
与超越高频信号的抑制
带宽可能会引入错误LT1999的。该
极被设定由下式：
f
FILT
= 1/(π(R
+ IN
+ R
In
)C
F
） = 10MHz时
两个电阻和电容具有±15 ％的变化
这样的极点可以通过在制造大约±30％变化
facturing工艺和温度变化。
对于最低EMI /噪声敏感度布局实现
通过保持短期的直接连接，减少循环
区域（参见图4） 。如果用户提供的感测电阻器
不能被放置在靠近LT1999 ，该
环路包括+ IN连接的表面积
与R
SENSE
和回-IN应最小。这
需要布线的PCB走线连接+ IN至R
SENSE
和-IN至R
SENSE
相邻彼此以最小
分离。连接+ IN到该读出的金属迹线
电阻和-IN的检测电阻应匹配和
使用相同的迹线宽度。
绕过V
+
引脚与GND引脚与一个0.1μF的电容
用短接线，建议连接。
从直流电源
R
SENSE
*
加载
1 V
+
2 + IN
3 -IN
4
V
+
SHDN
8
出7
REF 6
GND 5
**
迪FF erential
模拟出
电源旁路
电容
1999 F03
*保持环路面积由R
SENSE
， + IN和-IN引脚
尽可能地小。
** REF旁路绑一个低噪声，低阻抗
信号接地平面。
可选10pF的电容，以防止发生的dV / dt EDGES
ON输入耦合浮动
SHDN
引脚。
图4.推荐布局
1999fb
16
