LTC3108-1
手术
在典型的应用中，存储电容器（通常为几
百微法）被连接到V
OUT
。立刻
VAUX超过2.5V时， V
OUT
电容器将被允许
充电至其调节的电压。当前可用
向电容器充电，将取决于输入电压
和变压器匝数比，但仅限于有关4.5毫安
典型的。
PGOOD
一个电源良好比较器监视V
OUT
电压。
PGD引脚是一个开漏输出带有弱上拉
（ 1MΩ ）的LDO电压。一旦V
OUT
已记入内
其稳压的7.5 ％ ，在PGD输出高电平。
如果V
OUT
从调节的电压下降超过9％ ，
PGD将变低。 PGD输出设计用于驱动
微处理器或其它芯片的I / O结构，不适合于
驱动高电流负载（例如LED） 。拉PGD
外部上的电压大于VLDO将导致
小电流进行采购到VLDO 。 PGD可拉
低的线或CON组fi guration与其他电路。
V
OUT2
V
OUT2
是，可以通过接通和关断的输出
主机，采用V
OUT2_EN
引脚。当启用时，V
OUT2
is
连接到V
OUT
通过1.3Ω P沟道MOSFET
开关。这个输出，通过一个主机处理器控制，可以
可用于驱动外部电路，例如传感器和
放大器器，不具备低功耗睡眠或关机
能力。 V
OUT2
可用于这些电路提供电源
当需要它们。
最小化的去耦电容的上额
V
OUT2
将允许它被打开和关闭更快的切换，使
短脉冲串倍，因此，在更小的占空因数
脉冲应用，诸如无线传感器/和Transmit
之三。小V
OUT2
电容也将最大限度地减少能源
这将在每次充电的电容器被浪费
V
OUT2
被使能。
V
OUT2
具有约5μs的一个软启动时间限制电容器
充电电流和最小化主输出的毛刺
当V
OUT2
被使能。它也有一个电流限制电路
这限制了峰值电流0.3A的典型。
在V
OUT2
使能输入有1V的典型门
具有100mV的滞后，使之逻辑兼容。如果
V
OUT2_EN
（其中有一个内部下拉电阻）
低，V
OUT2
将关闭。驾驶V
OUT2_EN
高将开启
在V
OUT2
输出。
请注意，虽然V
OUT2_EN
为高时，电流限制税务局局长
cuitry为V
OUT2
绘制静态电流的额外8μA
从V
OUT
。这增加了电流消耗具有不可忽视的作用
上的应用程序和电容器的大小，因为在负载
在V
OUT2
输出使能时，很可能是订单
要比8μA高。
VSTORE
该VSTORE输出可用于大存储充电
电容或V后，可充电电池
OUT
已达到
调节。一旦V
OUT
已经达到了调控， VSTORE
输出将被允许充电到在VAUX电压。
上VSTORE存储元件可用于功率
该系统中的事件，该输入源丢失，或者
不能提供电流通过V要求
OUT
,
V
OUT2
和LDO输出。如果VAUX低于VSTORE ，
该LTC3108-1将自动绘制从当前
存储元件。请注意，可能需要相当长的时间进行充电
大电容，这取决于输入能量可
和V负载
OUT
和VLDO 。
由于从VSTORE的最大电流被限制在一个
几毫安，它可以安全地使用涓流充电镍镉电池
或镍氢充电电池的能量储存在
输入电压被丢失。注意， VSTORE电容器
不能提供大的脉冲电流V
OUT
。任何脉冲负载
在V
OUT
必须通过V处理
OUT
电容。
短路保护
在LTC3108-1的所有输出电流限制保护
防止短路到地。
输出电压排序
显示了典型的充电时序图和
的输出电压排序显示于图1 。
注意：时间不是按比例的。
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