集成
电路
系统公司
ICS843003
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-3.3V LVPECL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
4.6V
-0.5V到V
CC
+ 0.5V
50mA
100mA
70 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
CC
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_A
= V
CCO_B
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
CC
V
CCA
V
CCO_A ，B
I
EE
I
CCA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
输出电源电压
电源电流
模拟电源电流
包括我
EE
测试条件
最低
3.135
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
3.465
158
15
单位
V
V
V
mA
mA
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
CC
= V
CCA
= V
CCO_A
= V
CCO_B
= 3.3V ±5％， TA = 0℃下
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
参数
输入高电压
DIV_SELA0 ： A1 ， FB_DIV
DIV_SELB0 ： B1 ， VCO_SEL ，
输入
低压MR， OEA ， OEB ， XTAL_SEL
TEST_CLK
TEST_CLK ， MR， FB_DIV
DIV_SELA1 ， DIV_SELB0
输入
高电流DIV_SELB1 ， DIV_SELA0 ，
VCO_SEL ， XTAL_SEL ，
OEA ， OEB
TEST_CLK ， MR， FB_DIV
DIV_SELA1 ， DIV_SELB0
输入
低电流DIV_SELB1 ， DIV_SELA0 ，
VCO_SEL ， XTAL_SEL ，
OEA ， OEB
测试条件
最低
2
-0.3
-0.3
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= V
IN
= 3.465V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
CC
= 3.465V, V
IN
= 0V
-5
-150
典型
最大
V
CC
+ 0.3
0.8
1.3
150
5
单位
V
V
V
A
A
A
A
I
IH
I
IL
843003AG
www.icst.com/products/hiperclocks.html
5
REV 。一2004年7月27日
