LTC3260
应用信息
也有差的电压COEF网络cient使他们失去
为60％以上的容量的额定电压时
被施加。因此，比较不同的电容时，
它往往是比较合适的，比较的量
实现电容对于给定的情况下大小，而不是
讨论指定的电容值。电容器
制造商的数据表，应协商，以确保
在所有温度和电压所需的电容。
表1是陶瓷电容器制造商的列表，并
他们的网站。
表1
AVX
基美
村田
太阳诱电
日前，Vishay
TDK
www.avxcorp.com
www.kemet.com
www.murata.com
www.t-yuden.com
www.vishay.com
www.component.tdk.com
飞跨电容节点C
+
和C
–
切换大电流
租金在高频。这些节点不应该
路由靠近敏感引脚，如LDO反馈
引脚（ ADJ
+
和ADJ
–
）和内部基准旁路引脚
（ BYP
+
和BYP
–
).
热管理
在高输入电压和最大输出电流时，有
可以在LTC3260相当大的功率耗散。如果
结温度上升到高于约
175℃时，热关断电路会自动
禁止输出。减小最大结
温度，在印刷电路板具有良好的热连接
接地平面的建议。连接裸焊盘
该设备下的包到一个接地平面上的两个
在PC板层可以降低热阻
封装和PCB板大大的。
降额功率在高温下
为了防止高功率的过热情况
应用中，图6中，应使用以确定
环境温度和电源的最大组合
耗散。
消散在LTC3260的电源应该都倒下了
下示出对于给定的环境温度下的线。该
功率消耗在LTC3260有三个组成部分。
功率消耗在积极的LDO ：
P
LDO +
= (V
IN
– V
LDO +
)
I
LDO +
功耗为负LDO ：
布局的注意事项
由于高开关频率和高瞬态电流
由LTC3260制作，精心的电路板布局是必要的
为获得最佳性能。一个真正的地平面和短
连接所有外部电容器将提高
性能并确保在所有条件适当调控
系统蒸发散。图5示出了LTC3260的示例性布局。
GND
C
FLY
V
IN
R
T
V
OUT
P
LDO-
= (|V
OUT
| – |V
LDO-
|)
I
LDO-
和
功率消耗在反相电荷泵：
P
CP
= (V
IN
– |V
OUT
|) (I
OUT
+ I
LDO-
)
在那里我
OUT
表示，可能是任何额外的电流
直接从V被拉
OUT
引脚。该LDO
–
电流
还通过利用V电荷泵供给
OUT
并
因此，包含在所述电荷泵的功耗。
LDO
+
LDO
–
C
BYP +
C
BYP ↓
GND
3260 F05
图5.推荐布局
该LTC3260的总功耗由下式给出：
P
D
= P
LDO +
+ P
LDO-
+ P
CP
3260f
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