RGL34A通RGL34K

威世通用半导体

10

10

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

正向电流（A ）

1

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

结电容（pF ）

1

1

10

100

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

10

瞬时反向电流（ μA ）

1

T

J

= 100 °C

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

图。 4 - 典型的反向特性

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 213AA （ GL34 ）

可焊ENDS

1

st

BAND

2

nd

BAND

0.066 (1.676)

0.060 (1.524)

贴装焊盘布局

0.079 (2.0)

马克斯。

D2

0.079 (2.0)

分钟。

D1 =

0.049 (1.25)

分钟。

0.022 (0.559)

0.016 (0.406)

D2 = D1

0.145 (3.683)

0.131 (3.327)

+0

- 0.008 (0.20)

0.177 （ 4.5 ） REF 。

1

st

乐队表示类型和极性

2

nd

频带为电压型

文档编号： 88698

修订： 15 -MAR- 11

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

www.vishay.com

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

3

将该数据资料如有更改，恕不另行通知。

和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT

www.vishay.com/doc?91000