RGP02-12E THRU RGP02-20E

威世通用半导体

1

10

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

正向电流（A ）

0.1

T

J

= 25 °C

脉冲宽度= 300微秒

1 ％占空比

0.01

结电容（pF ）

1

0.001

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

1

10

100

正向电压（ V）

反向电压（ V）

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

100

瞬时反向电流（ μA ）

10

T

J

= 125 °C

1

T

J

= 75 °C

0.1

T

J

= 25 °C

0.01

0

20

40

60

80

100

1999额定峰值反向电压百分比（％ ）

图。 4 - 典型的反向特性

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 204AL （DO- 41）的

1.0 (25.4)

分钟。

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

DIA 。

0.205 (5.2)

0.160 (4.1)

1.0 (25.4)

分钟。

0.026 (0.66)

0.023 (0.58)

DIA 。

文档编号： 88699

修订： 15 -MAR- 11

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

www.vishay.com

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

3

将该数据资料如有更改，恕不另行通知。

和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT

www.vishay.com/doc?91000