$6&
“ DWD UHWHQWLRQ FKDUDFWHULVWLFV ？ RYHU WKH RSHUDWLQJ UDQJH
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片使能对数据保留时间
手术恢复时间
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
测试条件
V
CC
= 2.0V
CE1
≥
V
CC
–0.2V
or
CE2
≤
0.2V
民
2.0
–
0
t
RC
最大
–
60
–
–
单位
V
A
ns
ns
“ DWD UHWHQWLRQ ZDYHIRUP
数据保持方式
V
CC
V
CC
t
CDR
CE1
CS2
V
IH
V
IH
t
CDR
V
DR
V
IH
V
IH
t
R
V
DR
≥
2.0V
V
CC
t
R
V
DR
&美元WHVW FRQGLWLRQV
-
-
-
-
输出负载：见图B或C.图
输入脉冲电平： GND到3.0V 。如图A所示。
输入上升和下降时间： 2纳秒。如图A所示。
输入和输出的定时参考水平： 1.5V 。
D
RXW
255
戴维南等效：
168
D
RXW
+1.728V (5V)
+5V
480
+3.0V
GND
90%
10%
2ns
90%
10%
C
(14)
GND
图B ： 5V输出loDG
D
RXW
255
+5V
320
C
(14)
图A ：输入脉冲
GND
图C ： 3.3V输出负载
1RWHV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
在V
CC
电时，一个上拉电阻到V
CC
在CE1是为了满足我
SB
特定连接的阳离子。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
对于测试环境，请见
AC测试条件，
图A ，B和C.
t
CLZ
和T
CHZ
如在图B或C的过渡时测得的被指定与CL = 5pF的
±500mV
从稳态电压。
此参数是保证，但不是100 ％测试。
WE为高的读周期。
CE1和OE低， CE2为高的读周期。
地址有效之前或与CE1过渡低和CE2过渡高重合。
所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CE1或者我们必须高或低CE2时的地址转换。 CE或WE断言高结束写周期。
所有的写周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
CE1和CE2具有相同的定时。
2V数据保留仅用于商业操作范围。
C = 30pF的，除了在高Z和低Z参数，其中C = 5pF的。
Y
$ OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU
？ RI ？
