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初步数据表
RJH1CM6DPQ-E0
1200V - 20A - IGBT
应用：变频器
特点
短路耐受时间（ 10
s
TYP 。 ）
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 2.1 V （典型值） 。 （在我
C
= 20 A，V
GE
= 15 V ， TA = 25 ° C）
内置的快速恢复二极管（T
rr
= 200 ns的典型值）在一个封装
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 100ns的典型值。 （在V
CC
= 600 V, V
GE
= 15 V，I
C
= 20 A， RG = 5
,
TA = 25 ° C，电感性负载）
R07DS0521EJ0300
Rev.3.00
2012年1月19日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZE -A
（包名称： TO- 247 ）
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
E
1 2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压/二极管的反向电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻（ IGBT ）
结温
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
CES
/ V
R
V
GES
I
C
I
C
集成电路（峰值）
Note1
I
DF
i
DF
（峰值）
Note1
Note2
P
C
θJ -C
Note2
Tj
TSTG
评级
1200
30
40
20
80
20
80
297.6
0.42
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0521EJ0300 Rev.3.00
2012年1月19日
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