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初步数据表
RJH60F4DPQ-A0
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.4 V （典型值） 。 （在我
C
= 30 A，V
GE
= 15V ， TA = 25 ° C）
内置快速恢复二极管在一个封装
沟槽栅和薄晶圆技术
高速开关
t
f
= 80纳秒（典型值） 。 （在我
C
= 30 A，V
CE
= 400 V, V
GE
= 15 V ， RG = 5
Ω,
TA = 25 ° C，电感性负载）
R07DS0325EJ0100
Rev.1.00
2011年4月6日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZH -A
（包名称： TO- 247A ）
C
4
G
1.门
2.收集
3.辐射源
4.收集
E
1 2
3
绝对最大额定值
（ TC = 25 ° C）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25℃
TC = 100 C
集电极电流峰值
集电极到发射极二极管的正向电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻（ IGBT ）
结到外壳热阻（二极管）
结温
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2. PW
≤
5
μs,
占空比
≤
1%
符号
V
CES
V
GES
I
注1
I
注1
集成电路（峰值）
Note1
i
DF
（峰值）
Note2
P
C
θJ -C
θJ -CD
Tj
TSTG
评级
600
±30
60
30
120
100
235.8
0.53
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
° C / W
°C
°C
R07DS0325EJ0100 Rev.1.00
2011年4月6日
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