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RJH60D3DPP-M0
初步
主要特点
功耗对比
外壳温度
40
40
最大直流电集电极电流 -
外壳温度
集电极耗散PC（ W）
30
集电极电流I
C
(A)
30
20
20
10
10
0
0
25
50
75
100 125 150 175
0
0
25
50
75
100 125 150 175
壳温度（ ° C）
壳温度（ ° C）
最高安全工作区
1000
80
关断SOA
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
1000
100
10
0
PW
μ
s
60
=
10
μ
s
10
40
1
TC = 25°C
单脉冲
20
0.1
1
0
10
100
0
200
400
600
800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
IGBT的输出特性（典型）
70
70
IGBT的输出特性（典型）
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
60
50
40
30
20
10
0
0
1
15 V
18 V
12 V
10 V
60
50
40
30
20
10
0
12 V
15 V
18 V
10 V
V
GE
= 8 V
TC = 25
°
C
脉冲测试
2
3
4
5
V
GE
= 8 V
TC = 150
°
C
脉冲测试
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
R07DS0162EJ0300 Rev.3.00
2011年3月9日
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