RJK0214DPA
MOS2和肖特基二极管
功率与温度降额
40
1000
初步
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
10
漏电流I
D
(A)
30
100
10
10
ms
1m
s
μ
s
0
μ
s
20
10
DC
er
Op
10
1
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
离子
at
0
50
100
150
200
TC = 25℃
0.1
1次脉冲
0.1
1
10
100
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
4.5 V
10 V
2.8 V
50
典型的传输特性
V
DS
= 5 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
30
漏电流I
D
(A)
40
2.7 V
40
2.6 V
30
20
2.5 V
10
20
10
TC = 75℃
25°C
–25°C
V
GS
= 2.4 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
80
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
脉冲测试
3
60
V
GS
= 4.5 V
10 V
40
1
I
D
= 20 A
20
10 A
5A
0
5
10
15
20
0.3
0.1
1
3
10
30
100
300
1000
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
R07DS0206EJ0110 Rev.1.10
2011年9月2日
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