初步
数据表
RJK0214DPA
硅N沟道功率MOS FET与肖特基二极管
R07DS0206EJ0110
高速电源开关
Rev.1.10
2011年9月2日
应用
DC - DC转换器的PC和服务器。
特点
低导通电阻
能够4.5 V门极驱动
高密度安装
无铅
无卤
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DD -A
（包名称： WPAK -D （ 2 ） ）
2 3 4
D1 D1 D1
9
S1/D2
5
6
7
8
5 6 7 8
1
G1
8
G2
9
4 3 2 1
4
S2 S2 S2
5 6 7
3
2
1
（底视图）
1, 8
门
2，第3 ，第4 ，第9漏
5，第6 ，第7 ，第9源
MOS1
MOS2和
肖特基二极管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
评级
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
总胆固醇
TSTG
Note1
MOS1
25
±20
15
60
15
5
3.1
10
150
-55到+150
MOS2
25
±20
45
180
45
20
50
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°
C
°
C
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
50
3.锝= 25C
R07DS0206EJ0110 Rev.1.10
2011年9月2日
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