RJK03C0DPA
初步
主要特点
功率与温度降额
80
1000
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
60
100
1
PW = 10毫秒
m
s
40
10
DC
at
er
Op
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
TC = 25℃
1次脉冲
1
10
100
20
1
离子
0
50
100
150
200
0.1
0.1
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
100
3.3 V
3.2 V
100
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
60
3.0 V
40
2.9 V
20
漏电流I
D
(A)
80
4.5 V
10 V
3.1 V
80
60
40
20
25°C
TC = 75℃
–25°C
V
GS
= 2.8 V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
（毫伏）
160
脉冲测试
120
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(mΩ)
脉冲测试
30
80
10
40
I
D
= 20 A
10 A
5A
3
V
GS
= 4.5 V
1
1
10 V
3
10
30
100
300 1000
0
4
8
12
16
20
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1822-0210 Rev.2.10
2010年5月12日
第3页6
