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RJK03E3DNS
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
50
脉冲测试
10000
3000
初步
典型的电容比。
漏源极电压
电容C （PF ）
40
1000
西塞
300
100
30
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
10
20
科斯
CRSS
30
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
20
V
GS
= 4.5 V
10
10 V
0
–25
0
25
50
2 A, 5 A, 10 A
75
100 125 150
10
0
30
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
50
V
GS
16
V
DD
= 25 V
10 V
30
V
DS
12
反向漏电流 -
源极到漏极电压
20
20
反向漏电流I
DR
(A)
I
D
= 14 A
10 V
16
5V
脉冲测试
40
12
20
8
8
V
GS
= 0, –5 V
10
V
DD
= 25 V
10 V
0
5
10
15
20
4
4
0
0
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
栅极电荷Qg （ NC ）
源极到漏极电压V
SD
(V)
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
REJ03G1905-0200 Rev.2.00
2010年4月6日
第4 6
