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初步
数据表
RJK5033DPP-M0
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.96
（典型值） 。 （在我
D
= 3 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
R07DS0205EJ0100
Rev.1.00
2010年11月29日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AF -A
（包名称： TO- 220FL ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
Note3
I
AP
PCH
注2
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
价值
500
30
6
24
6
27.4
4.56
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0205EJ0100 Rev.1.00
2010年11月29日
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