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NEC的3.0 V， 0.25 W的L&S - BAND NE552R479A
中功率硅LD- MOSFET
特点
低成本的塑料表面贴装封装
高输出功率：
+26 dBm的典型值在V
DS
= 3.0 V
高线性增益：
11分贝TYP @ 2.45 GHz的
单电源：
2.8 6 V
表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
5.7 MAX 。
0.6±0.15
4.2 MAX 。
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
（底视图）
1.5±0.2
来源
来源
W
0X001
门
漏
4.4 MAX 。
0.8±0.15
1.0最大。
门
漏
1.2最大。
A
0.4±0.15
5.7 MAX 。
0.2±0.1
0.8最大。
3.6±0.2
描述
NEC的NE552R479A是横向的N沟道硅功率
扩散MOSFET的特别设计作为传输
电源放大器器为移动和固定的网络的无线应用。
模具使用的是NEC的NEWMOS2技术制造
（ NEC的0.6
μm
的WSi栅极横向MOSFET ），并容纳在
表面贴装封装。
应用
数字蜂窝电话：
3.0 V GSM1900预驱动器
模拟蜂窝电话：
2.4 V AMPS手机
其他：
W- LAN
短距离无线
零售业务电台
专用移动无线电设备
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
实用
特征
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
功率增加外汇基金fi效率
漏电流
栅极 - 源极漏电流
饱和漏极电流
（零栅极电压漏极电压）
栅极阈值电压
跨
漏极至源极击穿电压
热阻
单位
DBM
dB
%
A
nA
nA
V
S
V
° C / W
15
1
1.4
0.4
18
10
35
民
24.0
NE552R479A
79A
典型值
26.0
11.0
45
230
100
100
1.9
最大
测试条件
F = 2.45千兆赫，V
DS
= 3.0 V,
I
DSQ
= 200 MA（ RF OFF）
P
in
= 19 dBm时，除
PIN = 10 dBm的线性增益
V
GS
= 5.0 V
V
DS
= 6.0 V
V
DS
= 3.5 V，I
DS
=
1毫安
V
DS
= 3.5 V，I
DS
=
百毫安
I
DSS
= 10
μA
通道到案件
η
添加
I
D
I
GSS
I
DSS
V
TH
g
m
BV
DSS
R
TH
注意事项：
1.直流性能进行了测试100 ％ 。每个晶片的几个样品进行测试，以便RF性能。晶圆拒收标准为标准设备1
拒绝了几个样品。
电力直流
特征
0.9±0.2
美国加州东部实验室
