位置：首页 > IC型号导航 > 首字符R型号页 > 首字符R的型号第0页 > RJL6032DPP-M0-T2 > RJL6032DPP-M0-T2 PDF资料 > RJL6032DPP-M0-T2 PDF资料1第1页
初步
数据表
RJL6032DPP-M0
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 3.3
（典型值） 。 （在我
D
= 1 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
内置快速恢复二极管
R07DS0250EJ0100
Rev.1.00
2010年1月27日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003AF -A
（包名称： TO- 220FL ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1
2 3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
雪崩电流
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1，脉冲宽度有限的安全工作区。
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
APNote3
PCH
注2
θch -C
总胆固醇
TSTG
价值
600
30
2
8
2
30.6
4.08
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0250EJ0100 Rev.1.00
2010年1月27日
第1页6
