初步
数据表
RJP60D0DPM
硅N沟道IGBT
高速电源开关
特点
短路耐受时间（ 5
s
TYP 。 ）
低集电极到发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 1.6 V （典型值） 。 （我
C
= 22 A，V
GE
= 15V ， TA = 25 ° C）
门极 - 发射极电压额定值
30
V
无铅镀铅和芯片接合
R07DS0088EJ0200
Rev.2.00
2010年11月16日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003ZA -A
（包名称： TO- 3PFM ）
C
G
1.门
2.收集
3.辐射源
E
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
TC = 25°C
TC = 100℃
集电极电流峰值
集电极耗散
结到外壳热阻
结温
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在Tc = 25℃
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
集成电路（峰值）
Note1
Note2
P
C
θJ -C
Note2
Tj
TSTG
评级
600
±30
45
22
90
40
3.125
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
° C / W
°C
°C
R07DS0088EJ0200 Rev.2.00
2010年11月16日
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