LMV321/LMV358/LMV324
数据表
应用信息
概述
该LMV3XX系列均为单电源，通用，
电压反馈放大器的引脚对引脚兼容
拖放在替换与其他行业标准
LMV321 ， LMV358 ， LMV324和放大器。该LMV3XX
家庭制作于CMOS工艺，拥有轨到轨
输出，而且是单位增益稳定。
典型的非反相电路示意图示于图
+
LMV3XX
R
s
C
L
2k
-
10k
10k
+V
s
6.8F
+
图2 ：典型拓扑驱动
容性负载
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
0.01
量（dB ）
+ IN
+
-
R
g
0.01F
OUT
R
f
C
L
= 50pF的
R
s
= 0
C
L
= 100pF的
R
s
= 400
C
L
= 200pF的
R
s
= 450
LMV3XX
0.1
1
10
频率（ MHz）的
1.
图1 ：典型的非反相CON组fi guration
图3 ：频率响应对C
L
团结
增益配置
功耗
允许的最大内部功耗是直接
相关的最大结温。如果最大
结点温度超过150℃，有些性能
会发生降解。如果最大结温
超过175℃的时间过长，可能会出现设备故障。
布局的注意事项
总体布局和电源旁路发挥高的主要角色
高频性能。飞兆半导体拥有评估板，以
作为高频布局和作为助剂在设备的引导用
测试和表征。按照下面的步骤
依据高频布局：
包括6.8μF和0.01μF的陶瓷电容器
在0.75英寸的放置6.8μF电容
电源引脚
在0.1英寸放置0.01μF电容
电源引脚
下面及周围的部分拆下接地平面，
尤其是靠近输入和输出管脚，以减少
寄生电容
最小化所有走线长度，减少串联电感
请参考图5所示的评估电路板的布局
第8页了解更多信息。
驱动容性负载
该
频率响应对C
L
剧情第4页，说明了
响应LMV3XX家庭。一个小串联电阻（R
s
)
在放大器的输出端，如图2所示，将提高
稳定性和沉降性能。
s
中的值
频率
回应对C
L
阴谋被选为实现最大频带 -
宽度小于峰值的1分贝。为了获得最大的平整度，
使用更大的
s
。随着剧情表明，该LMV3XX家庭
可以轻松驱动200pF的电容负载，而不系列
性。为了比较，图还示出了LMV321
找到一个200pF的负载具有225Ω的串联电阻。
驱动容性负载引入相位滞后到输出
信号，从而降低相位余量的放大器。该
单位增益跟随是最敏感的配置。在一个
单位增益跟随器配置， LMV3XX家庭
需要一个450Ω的串联电阻来驱动200pF的负载。该
响应示于图3 。
REV 。 2004年四月1A
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