CTT60
可控硅晶闸管模块
图。 1浪涌过载电流
I
TSM
, I
FSM
：峰值，T ：时间
图。 2我
2
dt的随时间的变化（1-10毫秒）
图。图2a最大正向电流
在外壳温度
10
1: I
GT
, T
VJ
= 125
o
C
2: I
GT
, T
VJ
= 25
o
C
3: I
GT
, T
VJ
= -40
o
C
V
V
G
3
1
1
4
2
5
6
4: P
GAV
= 0.5 W
I
GD
, T
VJ
= 125 C
0.1
10
0
10
1
10
2
o
5: P
GM
=
5W
6: P
GM
= 10 W
10
3
I
G
mA
10
4
图。 3功耗与通态电流和环境温度
（每晶闸管或二极管）
图。 4门极触发特性
1000
T
VJ
= 25
o
C
s
t
gd
典型值。
100
极限
10
3× CTT60
1
10
100
I
G
mA
1000
图。 5三相整流桥：功耗与直接输出电流
和环境温度
图。 6门极触发延迟时间
DEECorp 。
