LM358DR/PWR/DGKR,LM2904DR/PWR/DGKR/VQDR/VQPWR
LM324DR/PWR/KDR,LM2902DR/PER/KDR/KPWR/KVQDR/KVQPWR
●降额
曲线
800
1000
技术说明
消耗功率PD [毫瓦]
消耗功率PD [毫瓦]
LM358DGKR
LM358DR
600
LM2904PWR
LM2904VQPWR
LM2904DGKR
LM2904DR
LM2904VQDR
800
LM2902PWR
LM2902KPWR
LM2902KQVPWR
LM2902DR
LM2902KDR
LM2902KQVDR
LM324PWR
LM358PWR
600
400
400
200
200
LM324DR
LM324KDR
0
0
25
50
70
0
100
125
150
0
25
50
70
75
75
100
125
150
环境温度[ ℃ ]
环境温度[ ℃ ]
LM358DR/PWR/DGKR
LM2904DR/PWR/DGKR/VQDR/VQPWR
功耗
LM324DR/PWR/KDR
LM2902DR/PWR/KDR/KPWR/KQDR/KQPWR
功耗
包
SOIC8 （ * 8 ）
TSSOP8 （ * 6 ）
MSOP8 / VSSOP8 （ * 7 ）
钯[W]
450
500
470
θJA
[℃/W]
3.6
4.0
3.76
θJA
= （ TJ - Ta）的/ PD [ ℃ / W]
包
SOIC14
TSSOP14
钯[W]
610
870
θJA
[℃/W]
4.9
7.0
图82降额曲线
●注意事项
1 ）未使用的线路
当有未使用的电路，建议将它们连接，如图103 ，
设置在同相输入电压范围（ VICR ）内的非反相输入端子来的电位。
2 ）输入端电压
施加GND + 32V到输入端是可能的，而不使所述电的劣化
特征或破坏，而与电源电压无关。然而，这并不能保证
电路的正常工作。
请注意，该电路正常工作时，只有当输入电压在共模
输入电压范围内的电特性。
3 ）电源（单/双）
当电压Vcc和GND之间施加的运算放大器的动作。
因此，在单电源供电的运算放大器可以被用作一个双电源供电的运算放大器以及。
V CC
－
CONNECT
到V ICM
＋
GND
图103禁用电路实例
4 ）功耗（PD ）
在超过额定功率耗散的使用单元可能引起电气特性的劣化，由于芯片温度的上升，其中包括
减小电流能力。因此，请在实际运行条件下考虑到功耗（PD ），并施加足够
保证金在散热设计。请参考热降额曲线以了解更多信息。
销和错误安装之间5）的短路
不正确的安装可能会损坏IC 。此外，外来物质的输出之间存在时，输出和电源，或者输出
和GND也可能导致集成电路的破坏。
6 ）运行在一个强电磁场
运行在一个强电磁场可能会造成故障。
7 ）辐射
这个IC没有设计成能承受辐射。
8 ） IC交接
通过偏转或弯曲板施加机械应力到IC可能引起的电特性由于压电波动（压电）
的影响。
9 ） IC工作
该IC的输出级使用C类推挽电路构成的。因此，当负载电阻连接到Vcc的中间电位和
GND时，交越失真发生在放电和充电的输出电流之间的转换。连接的输出端之间的电阻
端子与GND和增加偏置电流为A级动作抑制了交越失真。
10 ）检验局
连接一个电容，一个销具有低阻抗可能压迫集成电路。因此，排出的每个处理后的电容。此外，
安装和拆卸过程中的检查阶段的夹具时，确保电源的检查和清除之前关闭。此外，请
采取针对ESD的措施，在组装过程以及运输和储存过程中。
11 ）输出电容
外部输出电容至Vcc的放电是可能的，通过内部寄生元件当Vcc短路至GND，使得损坏内部
电路由于热应力。因此，在电路中的振荡，由于输出电容性负载，不会发生诸如在电压使用该IC时
比较器，使用输出电容器的电容小于0.1μF 。
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