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LM1117/LM1117I
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
最大输入电压(V
IN
到GND)
功率耗散(注2 )
结温(T
J
)
(注2 )
存储温度范围
焊接温度
20V
内部限制
150C
-65 ℃150 ℃的
TO- 220 ( T)包
SOT- 223 ( IMP)套餐
ESD容差(注3 )
260C ,10秒
260℃ 4秒
2000V
工作额定值
(注1 )
输入电压(V
IN
到GND)
结温范围(T
J
) (注2 )
LM1117
LM1117I
0 ° C至125°C
-40_C到125_C
15V
LM1117电气特性
标准结构和限制出现在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个junc-
化的操作温度范围在0℃ 125℃ 。
符号
V
REF
参数
参考电压
条件
LM1117-ADJ
I
OUT
= 10毫安,V
IN
-V
OUT
= 2V ,T
J
= 25C
10mA
≤
I
OUT
≤
800毫安, 1.4V
≤
V
IN
-V
OUT
≤
10V
LM1117-1.8
I
OUT
= 10毫安,V
IN
= 3.8V ,T
J
= 25C
0
≤
I
OUT
≤
800毫安, 3.2V
≤
V
IN
≤
10V
LM1117-2.5
I
OUT
= 10毫安,V
IN
= 4.5V ,T
J
= 25C
0
≤
I
OUT
≤
800毫安, 3.9V
≤
V
IN
≤
10V
LM1117-2.85
I
OUT
= 10毫安,V
IN
= 4.85V ,T
J
= 25C
0
≤
I
OUT
≤
800毫安, 4.25V
≤
V
IN
≤
10V
0
≤
I
OUT
≤
500毫安,V
IN
= 4.10V
LM1117-3.3
I
OUT
= 10毫安,V
IN
= 5V牛逼
J
= 25C
0
≤
I
OUT
≤
800毫安, 4.75V≤ V
IN
≤
10V
LM1117-5.0
I
OUT
= 10毫安,V
IN
= 7V ,T
J
= 25C
0
≤
I
OUT
≤
800毫安, 6.5V
≤
V
IN
≤
12V
V
OUT
线路调整
(注6 )
LM1117-ADJ
I
OUT
= 10毫安, 1.5V
≤
V
IN
-V
OUT
≤
13.75V
LM1117-1.8
I
OUT
= 0毫安, 3.2V
≤
V
IN
≤
10V
LM1117-2.5
I
OUT
= 0毫安, 3.9V
≤
V
IN
≤
10V
LM1117-2.85
I
OUT
= 0毫安, 4.25V
≤
V
IN
≤
10V
LM1117-3.3
I
OUT
= 0毫安, 4.75V
≤
V
IN
≤
15V
LM1117-5.0
I
OUT
= 0毫安, 6.5V
≤
V
IN
≤
15V
民
(注5 )
1.238
1.225
典型值
(注4 )
1.250
1.250
最大
(注5 )
1.262
1.270
单位
V
V
V
OUT
输出电压
1.782
1.746
2.475
2.450
2.820
2.790
2.790
3.267
3.235
4.950
4.900
1.800
1.800
2.500
2.500
2.850
2.850
2.850
3.300
3.300
5.000
5.000
0.035
1
1
1.818
1.854
2.525
2.550
2.880
2.910
2.910
3.333
3.365
5.050
5.100
0.2
6
6
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
%
mV
mV
1
1
1
6
6
10
mV
mV
mV
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