SFR/U9210
-bv
DSS
（归一化）
漏源击穿电压
P沟道
功率MOSFET
图8.导通电阻与温度的关系
漏源导通电阻
3.0
图7.击穿电压与温度的关系
1.2
R
DS （ ON）
（归一化）
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
@注意事项：
1. V = -10 V
GS
2. I = -0.9一
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.9
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. I = -250
A
D
0.5
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
T
J
，结温[
o
C]
T
J
，结温[
o
C]
[A]
图9.最大。安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
图10.最大。漏电流与外壳温度
2.0
-I
D
，漏电流
10
1
[A]
0.1毫秒
1毫秒
-I
D
，漏电流
1.6
1.2
10
0
DC
@注意事项：
1. T = 25
o
C
C
10
-1
2. T = 150
o
C
J
3.单脉冲
10毫秒
0.8
0.4
10
0
10
1
10
2
0.0
25
50
75
100
o
125
150
-V
DS
，漏源电压[V]
T
c
，外壳温度[C]
图11.热响应
10
1
热响应
D=0.5
@注意事项：
1. Z
θ
J·C
(t)=6.58
o
C / W最大。
2.占空比，D = T
1
/t
2
3. T
J·M
-T
C
=P
D M
*Z
θ
J·C
(t)
0.2
10
0
0.1
0.05
0.02
0.01
10
- 1
单脉冲
P
.
DM
t
1.
t
2.
Z
θ
JC
(t) ,
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t
1
，方波脉冲持续时间
[秒]
1999仙童半导体公司
