乐山无线电公司， LTD 。
通用晶体管
NPN硅
特征
高电流容量的紧凑型封装。
I
C
=1.5A.
外延平面型。
NPN补充： L8050H
无铅封装。
L8550H*LT1
3
1
2
SOT–23
集热器
3
设备标记和订购信息
设备
L8550HPLT1
L8550HPLT1G
L8550HQLT1
L8550HQLT1G
记号
1HB
1HB
（无铅）
1HD
1HD
（无铅）
航运
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
3000/Tape&Reel
1
BASE
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流continuoun
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
最大
25
40
5
1500
单位
V
V
V
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR - 5局， （ 1 ）
T
A
=25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板， （ 2 ） TA = 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度
R
θ
J A
T
j,
T
S
t
g
R
θ
J A
P
D
300
2.4
417
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
符号
P
D
最大
单位
225
1.8
556
mW
毫瓦/°C的
° C / W
1.1版
L8550H*LT1-1/3
