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LM32
AC电气特性
(续)
下面的说明适用于V + = + 3.0V
DC
到+3.6 V
DC
除非另有规定ED 。
黑体字限额申请
T
A
= T
J
= T
= 0°C至T
最大
=85C;
所有其他限制牛逼
A
= T
J
= 25℃。该SensorPath能够特性符合SensorPath能够
规范的修订版0.98 。请参考该物种的进一步细节。
符号
t
RST_MAX
参数
社署的最大驱动器由一个LM32 ,后
电源3V以上募集
条件
典型
(注7 )
范围
(注8)
500
单位
(限量)
毫秒(最大值)
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件,该设备是
功能,但不保证性能的限制。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。保证
规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低,当设备没有下所列出的测试操作
条件。
注2 :
所有电压都相对于GND测定,除非另有说明。
注3 :
当输入电压(V
IN
)在任何引脚超过电源(V
IN
& LT ;
GND或V
IN
& GT ;
V +)时,电流在该针应该被限制在5毫安。寄生
组件和/或ESD保护电路如下所示为LM32的引脚。齐纳二极管的额定击穿电压为6.5 V. SNP代表扣回
装置。
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
名字
NC
GND
V+/
3.3V SB
社署
添加
NC
NC
D1-
D1+
D2-
D2+
NC
NC
NC
电路
A
B
B
A
A
C
D
C
D
A
电路C
电路A
所有的输入电路结构
电路B
用回路D
注4 :
当固定于印刷电路板用1盎司热阻结点到环境的静止空气中。箔148℃ / W 。
注5 :
人体模型, 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。机器型号, 200 pF的直接排放到每一个引脚。
注6 :
回流温度曲线是无铅和无无铅封装不同。
注7 :
“典型”是在T
A
= 25 ,代表最可能的参数指标。它们被用来作为不关键的设计计算一般参考值。
注8 :
限制是保证国家的AOQL (平均出厂质量水平) 。
注9 :
用SensorPath能够交易的供电电流不会大幅增加。
注10 :
局部温度精度不包括自加热的影响。在温度由于自身发热的上升是内部功率的乘积
耗散的LM32和热阻。见(注4)对于耐热性,在自热的计算中使用。
注11 :
该LM32CIMT的精度使用英特尔90纳米奔腾4处理器的热二极管或具有非理想性的任何热二极管时保证
的1.011因子和3.33Ω的串联电阻。当使用MMBT3904型晶体管作为热敏二极管的误差带将转移通常由-4.5 C 。
注12 :
本说明书中仅被设置以指示如何经常温度数据被更新。
注13 :
输出下降时间是从(Ⅴ测定
IH MIN
)至(Ⅴ
IL最大
).
注14 :
输出上升时间是从(Ⅴ测
IL最大
)至(Ⅴ
IH MIN
).
注15 :
上升和下降时间都没有测试,但通过设计保证。
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