数据表
4V驱动N沟道MOSFET
RQ1E075XN
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSMT8
(8) (7) (6) (5)
■特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小型表面贴装封装（ TSMT8 ） 。
(1) (2)
(3) (4)
缩写符号： XR
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RQ1E075XN
TAPING
TCR
3000
○
内部电路
(8)
(7)
(6)
(5)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
范围
30
20
7.5
*1
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
（ 1 ）资料来源
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）资料来源
（ 4 ）门
（ 5 ）排水管
（ 6 ）排水
（ 7 ）排水
（ 8 ）漏
2
1
(1)
(2)
(3)
(4)
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
1
ESD保护二极管
2
体二极管
*1
*2
30
1.25
30
1.5
150
55
to
150
热阻
参数
渠道环境
*安装在陶瓷板上。
符号
RTH （ CH -A ）
*
范围
83.3
单位
C
/ W
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2011.04 - Rev.A的
