KTC4377
晶体管（ NPN ）
特点
低电压
SOT-89
1.基地
2.收集
1
2
3
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
30
10
6
2
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
3.辐射源
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
=1V,I
C
=2A
I
C
=2A,I
B
=50mA
V
CE
=1V,I
C
=2A
V
CE
=1V,I
C
=0.5A
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
150
27
70
0.5
1.5
V
V
兆赫
pF
TEST
条件
民
30
10
6
0.1
0.1
140
600
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=1mA,I
E
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=6V,I
C
=0
V
CE
=1V,I
C
=0.5A
分类
秩
范围
记号
h
FE(1)
A
140-240
SA
B
200-330
SB
C
300-450
SC
D
420-600
SD
１
金隅
半导体
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Ｄ½½½：２０１１／０５
