半导体
技术参数
切换应用程序。
接口电路和驱动电路应用。
特点
凭借内置的偏置电阻器。
简化电路设计。
A
G
KRA101S~KRA106S
外延平面PNP晶体管
L
E
B
L
减少零件和制造工艺的数量。
2
3
1
等效电路
OUT
R1
R2
BIAS的电阻值
C
P
P
KRA102S
KRA103S
KRA104S
KRA105S
KRA106S
10
22
47
2.2
4.7
10
22
47
47
47
1. COMMON （发射器）
2.在（基极）
3.输出（集电极）
IN
COMMON （ + ）
K
KRA101S
4.7
4.7
M
SOT-23
最大额定值（ TA = 25
输出电压
)
符号
KRA101S
106S
V
O
等级
-50
-20, 10
-30, 10
V
I
-40, 10
-40, 10
-12, 5
-20, 5
I
O
KRA101S
106S
P
D
T
j
T
英镑
-100
200
150
-55 150
mA
mW
V
单位
V
特征
KRA101S
KRA102S
输入电压
KRA103S
KRA104S
KRA105S
KRA106S
输出电流
功耗
结温
存储温度范围
MARK SPEC
TYPE
标志
KRA101S KRA102S KRA103S KRA104S KRA105S KRA106S
PA
PB
PC
PD
PE
PF
记号
LOT号
型号名称
2003. 11. 4
版本号： 3
J
型号
R1(k
)
R2(k
)
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
N
H
D
1/6
