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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
3.13
ECC操作
的OneNAND闪存器件具有片上的ECC同在NAND闪存检测2位错误并纠正1位错误的能力
阵主内存和备用区。
由于从BufferRAM到NAND闪存阵列存储页面缓冲的程序操作该设备的数据传输，设备ini-
tiates生成24位的纠错码（ ECC），对每个扇区主区数据和10bits后台操作
每个部门备用区的第2和第3个字的数据。
在从NAND闪存阵列存储页面加载操作时，芯片上的ECC引擎生成新的ECC 。在“加载ECC
结果“是相对于原来的”纲要的ECC “，从而检测错误的数量和位置。单比特错误得到纠正。
ECC是由设备自动更新。经过负荷运转时，主机可以通过读取确定是否有错误
“ ECC状态寄存器” （参见第26年2月8日） 。
错误类型分为“无差错”，“ 1位校正的错误”和“ 2位的错误不可纠正的错误” 。
OneNAND闪存支持，即使2位错误很少或从未发生2bit的EDC 。因此，它不是特别建议，对于主机读取“的ECC桩号
土族注册“检查ECC错误，因为OneNAND闪存的内置纠错逻辑自动校正的ECC错误。
当装置读出与一个ECC运算的NAND闪存阵列的存储器主要和备用区的数据，该装置不会将
新生成的ECC的主要和备用区到缓冲区。相反，它会将其生成，并在写入的ECC
该程序运行到缓冲器中。
一个ECC操作引导加载操作期间也进行。
3.13.1 ECC旁路操作
在ECC旁路操作，该设备不产生的ECC作为后台操作。该结果不指示错误位置
化（参照给ECC结果表） 。
在程序运行的ECC码的NAND闪存阵列存储备用区不更新。
在加载过程中的操作，在片上的ECC引擎不会生成内部的新的ECC 。另外， ECC状态&结果到寄存器
TER值无效。该错误不纠正，检测本身，所以不建议在主机ECC搭桥手术。
ECC搭桥手术是通过系统配置寄存器1的9位设定（见2.8.19 ）
ECC代码和ECC结果通过ECC操作
程序运行
手术
ECC操作
ECC绕行
负荷运行
ECC状态&结果更新
到寄存器
更新
无效
1位错误
正确
不正确
ECC代码更新到NAND ECC代码BufferRAM备用
闪存阵列备用区
区域
更新
不更新
预先写好的ECC代码
(1)
装
预先写好的代码加载
注意：
1.预写入的ECC代码：这是预先写入到NAND闪存备用区域中的程序操作的ECC码。
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