2.5V驱动N沟道MOSFET
RSB002N06
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
VMN3
0.22
(3)
■特点
1 ）高速switing 。
2 ）超小型封装（ VMN3 ） 。
3 ）低电压驱动（ 2.5V驱动器） 。
0.1
1.0
0.8
0.1
0.16
(1)
(2)
0.17
0.35
0.6
0.37
应用
开关
缩写符号： RK
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RSB002N06
TAPING
T2L
8000
内部电路
(3)
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2每个终端安装在一个推荐的土地。
1
范围
60
20
250
1
125
1
150
150
55
+150
单位
V
V
mA
A
mA
A
mW
C
C
(1)
(2)
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
*1
I
S
I
SP
*1
P
D
*2
总胆固醇
TSTG
* 1 ESD保护二极管
* 2体二极管
热阻
参数
渠道环境
*每个终端安装在推荐地。
符号
RTH （ CH -A ）
*
范围
833
单位
C
/ W
www.rohm.com
c
○
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1/5
2010.11 - Rev.A的
