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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
6.11
冷复位时序
POR触发电平
系统电源
1)
OneNAND闪存
手术
睡觉
引导代码复制
2)
RP
引导代码 - 副本来实现
空闲
INT
高-Z
3)
INT位
0（默认）
1
IOBE位
INTPOL位
0（默认）
1（默认）
1
注： 1 ）引导代码复制操作开始400us晚于POR激活。
该系统功率应上电复位后达到Vcc的范围内400us触发电平（典型值1.5V）为有效引导代码数据。
2 ） 1K字节的引导代码复制需要70us （估计） ，从sector0和NAND闪存阵列BootRAM的sector1 /页0 /块0 。
主机可以引导代码复制完成后，读取引导代码中BootRAM （ 1K字节） 。
3 ） INT寄存器变为“低”来对“引导代码拷贝完成”和RP上升沿的条件“高” 。
如果RP变为“引导代码拷贝完成”之前， “低”到“高” ， INT寄存器变为“低”到“高” ，只要“引导代码拷贝完成”
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