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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
5.5
AC特性异步读
见时序图6.3 ， 6.4 ， 6.5和6.6
参数
从CE低访问时间
从AVD低异步访问时间
从地址有效的异步访问时间
读周期时间
AVD低电平时间
地址设置为AVD的上升沿
从AVD的上升沿地址保持
输出使能到输出有效
WE禁用OE启用
CE安装到AVD下降沿
CE禁止以输出& RDY高Z
1)
OE禁用到输出高Z
1)
我们要禁用启用AVD
符号
t
CE
t
AA
t
加
t
RC
t
AVDP
t
AAVDS
t
AAVDH
t
OE
t
OEH
t
CA
t
CEZ
t
OEZ
t
WEA
KFG1G16Q2M/KFH2G16Q2M
/KFW4G16Q2M
民
-
-
-
76
12
7
7
-
0
0
-
-
15
最大
76
76
76
-
-
-
-
20
-
-
20
17
-
单位
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
1.如果OE是在同一时间关闭或之前CE被禁用，输出将为高-Z由tOEZ 。
如果行政长官是在同一时间关闭或之前OE被禁用，输出将为高-Z由tCEZ 。
如果CE和OE被禁止的同时，输出将为高-Z由tOEZ 。
这些参数是不是100 ％测试。
5.6
AC特性热复位（ RP ） ，热启动
和NAND闪存内核复位
见时序图6.12 ， 6.13和6.14
参数
RP &复位命令锁存到BootRAM访问
RP &复位命令锁存器（在加载程序）为INT高（注1）
RP &复位命令锁存器（在程序例程）为INT高（注1）
RP &复位命令锁存器（在擦除例程）为INT高（注1）
RP &复位命令锁存器（而不是在内部例程）为INT高（注1）
RP脉冲宽度（注2 ）
符号
tReady1
（ BufferRAM ）
tReady2
（ NAND闪存阵列）
tReady2
（ NAND闪存阵列）
tReady2
（ NAND闪存阵列）
tReady2
（ NAND闪存阵列）
激进党
民
-
-
-
-
-
200
最大
5
10
20
500
10
-
单位
s
s
s
s
s
ns
记
1.这些参数是基于中断寄存器的INT位进行测试。因为时间INT引脚上是相关的上拉和下拉电阻值。
2.该装置可复位如果tRP的< tRP的分钟（ 200纳秒），但是这是无法保证的。
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