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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
5.0
5.1
AC特性
AC测试条件
参数
价值
0V至V
CC
CLK
其他投入
3ns
5ns
V
CC
/2
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
C
L
= 30pF的
V
CC
V
CC
/2
输入输出&
测试点
V
CC
/2
设备
下
TEST
0V
* C
L
= 30pF的范围包括
和夹具电容
输出负载
输入脉冲和测试点
5.2
器件电容
项
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
C
INT
测试条件
化
V
IN
=0V
单身
民
-
-
-
-
最大
10
10
10
15
民
-
-
-
-
DDP
最大
20
20
20
30
民
-
-
-
-
QDP
最大
40
40
40
60
pF
单位
电容
(T
A
= 25
°C,
V
CC
= 1.8V ， F = 1.0MHz的）
输入电容
控制引脚电容
输出电容
INT电容
V
IN
=0V
V
OUT
=0V
V
OUT
=0V
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
5.3
有效的阻止特性
参数
符号
N
VB
N
VB
N
VB
民
1004
2008
4016*
典型值。
-
-
-
最大
1024
2048
4096*
单位
块
块
块
有效的块号（单）
有效的块号（ DDP ）
有效的块号（ QDP ）
注意事项：
1。
设备
可能包括无效块时，先发货。附加的无效块可以发展而被使用。有效块的数目是预先
sented与视为无效块的两种情况。无效块被定义为包含一个或多个损坏位元区块
.
不要擦除或编程
工厂标记为坏块。
2. 1号地块，这是摆在00H块地址，是完全有保证是一个有效的块。
*在KFH2G16Q2M每个KFG1G16Q2M芯片具有最大20块无效。
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