半导体
技术参数
概述
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，快
反向恢复时间，
低导通电阻，低栅
充电和出色的雪崩特性。它主要适用于
电子镇流器和开关模式电源。
特点
V
DSS
= 525V ，我
D
= 5.0A
·漏源
导通电阻，R
DS （ ON）
=1.5 @V
GS
= 10V
·QG （典型值）
= 12NC
KF5N53F
N沟道MOS场
场效应晶体管
最大额定值
(Tc=25℃)
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25℃
漏电流
@T
C
=100℃
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25℃
减免上述25 °
T
j
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
等级
525
±30
5.0*
2.9*
13*
200
4.3
4.5
37.9
0.30
150
-55½150
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
A
单位
V
V
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结点到
环境
R
thJC
R
thJA
3.3
62.5
℃/W
℃/W
*：漏电流受最高结温。
引脚连接
2011. 3. 31
版本号： 0
1/6
