数据表
4V驱动N沟道MOSFET
RSJ550N10
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
LPTS
10.1
4.5
1.3
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装。
3 ） 4V的驱动器。
13.1
9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
(1)
(2)
2.7
应用
开关
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RSJ550N10
TAPING
TL
1000
内部电路
1
2
(1)
(2)
1.2
2.54
0.4
(3)
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
*1 P
W
10s,
占空比= 1 ％
*2 T
C
=25°C
* 3请SOA的范围内使用。
范围
100
20
55
110
55
110
100
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
*3
I
DP
*1
I
S
*3
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
*2
热阻
参数
渠道情况
* T
C
=25°C
符号
RTH （ CH-C ）
*
范围
1.25
单位
C
/ W
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