RSJ650N10
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
*
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
分钟。
-
100
-
1
-
-
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
6.5
7
-
10780
785
560
45
170
640
480
260
24
60
马克斯。
10
-
1
2.5
9.1
9.8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 32.5A ，V
GS
=10V
I
D
= 32.5A ，V
GS
=4V
V
DS
= 10V ，我
D
=32.5A
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
50V ，我
D
=32.5A
V
GS
=10V
R
L
=1.54
R
G
=10
V
DD
50V ，我
D
=32.5A
V
GS
=10V
数据表
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.5
单位
V
条件
I
s
= 65A ，V
GS
=0V
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