RU30120M
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
30V / 120A ，
R
DS （ ON）
=2mΩ(tpy.)@V
GS
=10V
R
DS （ ON）
=2.9mΩ(tpy.)@V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
100％的雪崩测试
提供无铅和绿色器件
（符合RoHS ）
引脚说明
PDFN 5X6
应用
直流/直流转换
开关应用
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
30
±20
150
-55到150
T
C
=25°C
50
①
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
安装在大型散热片
I
DP
300μS脉冲漏极电流测试
T
C
=25°C
T
C
=25°C
I
D
连续漏电流（ V
GS
=10V)
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
P
D
最大功率耗散
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Copyright Ruichips半导体有限公司
修订版A-二月， 2012
410
②
①
A
A
120
97
30
①
③
③
24
96
38
4.2
2.7
W
③
③
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