RU4099
N沟道先进的功率MOSFET
特点
引脚说明
·
40V/200A
R
DS
（上）
= 2.8毫欧（典型值） @ V
GS
=10V
·
额定雪崩
·
可靠，坚固耐用
·
无铅和绿色设备可用
应用
TO-220
TO-220F
TO-263
TO-247
·
汽车应用和一个宽
各种其它应用
·
高效率同步开关电源中
·
高速电源开关
绝对最大额定值
符号
参数
N沟道MOSFET
等级
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
T
C
=25°C
40
±25
175
-55至175
200
①
V
°C
°C
A
I
S
安装在大型散热片
I
DP
I
D
P
D
R
θJC
R
θJA
300μS漏电流脉冲测试
继续漏电流
最大功率耗散
热阻-Junction到案
热阻，结到环境
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
800
200
140
400
230
②
A
W
0.45
62.5
° C / W
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量，单脉冲
存储温度范围
1400
mJ
-55到150
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版本B -JUN ，2010
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