RU6H9P
N沟道先进的功率MOSFET
MOSFET
特点
600V/9.5A,
R
DS （ ON）
=
0.7
（典型值）。
@
V
GS
=10V
栅极电荷最小化
低的Crss （典型值20pF的）
极高的dv / dt能力
100％的雪崩测试
无铅和绿色可用
引脚说明
TO-220F
应用
高效率开关模式电源
耗材
灯光
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
符号
参数
等级
600
±30
150
-55到150
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
9.5
①
①
①
单位
通用等级
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
I
S
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
二极管连续正向电流
V
°C
°C
A
A
A
安装在大型散热片
I
DP
300μS脉冲漏极电流测试
I
D
连续漏电流
38
9.5
P
D
R
θJC
②
6.2
30
12
最大功率耗散
热阻，结到管壳
W
° C / W
4.2
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量，单脉冲
10
mJ
Copyright Ruichips半导体有限公司
版本A - 二月， 2012
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