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KAD5612P
电气规格
所有规格适用于在下列条件下，除非另有说明： AVDD = 1.8V ， OVDD = 1.8V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C （典型值规格在+ 25 ° C） ，A
IN
= -1dBFS ，女
样品
=最大转换速率
（每个速度等级） 。
（续）
KAD5612P-25
（注3）
参数
互
失真
通道到通道
隔离
词错误率
全功率带宽
注意事项：
3.参数与MIN和/或最大极限是在最糟糕的情况下，极端的温度（ + 85°C ） 100 ％生产测试。
4.数字电源电流取决于数字输出的电容负载。我
OVDD
规范适用于10pF的负载上的每个数字
输出。
第17页5.见打盹/休眠模式的描述更多的细节。
6. DLL范围的设置必须为低速运行而改变。请参阅第23页的表15的更多细节。
WER
FPBW
符号
IMD
条件
f
IN
= 70MHz时
f
IN
= 170MHz的
f
IN
= 10MHz时
f
IN
= 124MHz
民
典型值
-85.7
-97.1
90
90
10
-12
1.3
KAD5612P-21
（注3）
典型值
-92.1
-87.1
90
90
10
-12
1.3
KAD5612P-17
（注3）
典型值
-94.5
-91.6
90
90
10
-12
1.3
KAD5612P-12
（注3）
典型值
-95.1
-85.7
90
90
10
-12
1.3
GHz的
最大单位
dBFS的
dBFS的
dB
dB
最大最小
最大最小
最大最小
数码特定网络阳离子
参数
输入
输入电流高（ SDIO ， RESETN ）
输入电流低（ SDIO ， RESETN ）
输入高电压（ SDIO ， RESETN ）
输入电压低（ SDIO ， RESETN ）
输入电流高（ OUTMODE ，
NAPSLP ， CLKDIV ，指定outfmt ）
（注7 ）
输入电流低（ OUTMODE ，
NAPSLP ， CLKDIV ，指定outfmt ）
输入电容
LVDS输出
差分输出电压
输出失调电压
输出上升时间
输出下降时间
CMOS输出
电压输出高
输出电压低
输出上升时间
输出下降时间
V
OH
V
OL
t
R
t
F
I
OH
= -500A
I
OL
= 1毫安
OVDD - 0.3
OVDD - 0.1
0.1
1.8
1.4
0.3
V
V
ns
ns
V
T
V
OS
t
R
t
F
3毫安模式
3毫安模式
950
620
965
500
500
980
mV
P-P
mV
ps
ps
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
I
IH
15
25
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 0V
0
-25
1.17
.63
40
1
-12
10
-5
A
A
V
V
A
符号
条件
民
典型值
最大
单位
I
IL
C
DI
-40
25
3
-15
A
pF
6
FN6803.2
2009年9月9日
